ماسفت قدرت FQP65N06 N-Channel

FQP65N06 یک ماسفت قدرت N-Channel Enhancement MOSFET است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان، منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتور و اینورترها طراحی شده است. این قطعه ابتدا توسط Fairchild Semiconductor تولید شد و بعدها تحت برند onsemi عرضه شد.

مشخصات فنی اصلی

• نوع: N-Channel Power MOSFET

• ولتاژ درین به سورس (VDS): 60 ولت

• حداکثر جریان درین (ID): 65 آمپر (در دمای کیس 25°C)

• مقاومت روشن (RDS(on)): 16 میلی‌اهم (حداکثر) در VGS = 10V

• حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±25 ولت

• توان تلفاتی (PD): 150 وات

• بار گیت (Qg): حدود 48 تا 65 نانوکولن

• دمای کاری: 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد

• پکیج: TO-220-3 

کاربردها

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• مبدل‌های DC/DC

• اینورترها

• کنترل موتورهای DC

• آمپلی‌فایرهای قدرت

• سیستم‌های مدیریت توان و باتری 

پایه‌ها (Pinout)

در پکیج TO-220 (از روبه‌رو، نوشته قطعه رو به شما):

1. Gate (گیت)

2. Drain (درین) — همچنین به زبانه فلزی (Tab) متصل است.

3. Source (سورس) 

مزایا

• مقاومت روشن بسیار پایین (16mΩ) که باعث کاهش تلفات توان می‌شود.

• قابلیت تحمل جریان بالا (65A).

• سرعت سوئیچینگ مناسب و مقاومت خوب در برابر پالس‌های آوالانش (Avalanche).

ا