دستهبندی: ماسفت
ماسفت قدرت FQA11N90C N-Channel
توضیحات
FQA11N90C یک ماسفت قدرت N-Channel Enhancement MOSFET با ولتاژ بالا است که برای منابع تغذیه سوئیچینگ، مدارهای PFC، اینورترها و بالاستهای الکترونیکی طراحی شده است. این قطعه توسط Fairchild Semiconductor توسعه یافت و بعدها تحت برند onsemi عرضه شد.
مشخصات فنی اصلی
-
نوع: N-Channel Power MOSFET
-
ولتاژ درین به سورس (VDS): 900 ولت
-
حداکثر جریان درین (ID): 11 آمپر (در دمای کیس 25°C)
-
مقاومت روشن (RDS(on)): 1.1 اهم (حداکثر) در VGS = 10V
-
حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±30 ولت
-
توان تلفاتی (PD): 300 وات (با هیتسینک مناسب)
-
بار گیت (Qg): حدود 60 نانوکولن
-
دمای کاری: 55- تا 150+ درجه سانتیگراد
-
پکیج: TO-3P (TO-3PN)
کاربردها
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
مدار اصلاح ضریب توان (PFC)
-
اینورترهای ولتاژ بالا
-
بالاستهای الکترونیکی
-
مبدلهای AC/DC و DC/DC با ولتاژ بالا
پایهها (Pinout)
در پکیج TO-3P (از روبهرو، نوشته قطعه به سمت شما):
-
Gate (گیت)
-
Drain (درین) — زبانه فلزی نیز به درین متصل است.
-
Source (سورس)
ویژگیها
-
تحمل ولتاژ بسیار بالا (900V)
-
انرژی آوالانش بالا و مناسب برای کاربردهای صنعتی
-
سرعت سوئیچینگ مناسب
-
مناسب برای فرکانسهای متوسط تا بالا در منابع تغذیه سوئیچینگ
نکته: این ماسفت برای ولتاژهای بالا طراحی شده و با وجود جریان نامی 11 آمپر، به دلیل مقاومت روشن 1.1 اهم برای کاربردهای جریان زیاد و ولتاژ پایین (مانند 12 یا 24 ولت) گزینه مناسبی نیست. بهترین عملکرد آن در مدارهای متصل به برق شهر و باسهای ولتاژ بالا (حدود 300 تا 400 ولت DC و بیشتر) است.
نظرات
دستهبندی: ماسفت